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電磁気学

静電気

クーロンの法則

クーロンの法則。二つの点電荷が同符号と異符号の場合の力の向きの違い

二つの点電荷が距離rを隔てておかれている時、両電荷に働く電気力Fはその方向が両電荷を結ぶ直線状にあり、その大きさは電荷の量Q1、Q2の積に比例し、距離rの2乗に反比例する。Q1、Q2が同符号の時Fは反発力、異符号の時は吸引力。

\[ F=\frac{Q_1Q_2}{4\pi\varepsilon_0 r^2} (真空中)\]

$$電荷Q:粒子や物体が帯びている電気の量[C]。真空の誘電率\varepsilon_0[F/m]$$

電界

電界とは電荷による 静電気力(クーロン力)が働く空間。電場。

電界が電荷に与える力

電界内の1点に点電荷を置いたとき、その1[C]あたりに働く電気力(静電力)をその点の電界の強さという。電界の強さの電場に点電荷Qをおくと点電荷に力が働く。

=Q

:電界の強さ(電界)[N/C]、[V/m]

電荷がある点に及ぼす電界の強さと向き。

点電荷Qが点Pに生じる電界の大きさEは点P=1[C]の時に点Pに働く力の大きさなので、$$E=\frac{F}{1}$$

$$E=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r^2}$$

電位・電位差(電圧)

電位とは電界に逆らって無限遠点からある地点まで単位点電荷1[C]を運ぶとき外部からなす仕事。[V]、[J/C]。電位の傾きは電場。

電荷による電位と電位差。

$$V_1=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r_1},V_2=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r_2},V=V_2-V_1$$

電気力線

電気力の様子を視覚的に表現するための仮想的な線。

正の電荷から負の電荷へと向かう線。電気力線の向きは電界の向きと一緒。電荷のないところで途切れたり二つ以上の線が交わったりすることはない。電気力線の本数はその場所の電気量に比例する。

静磁気

クーロンの法則

二つの磁極が距離rを隔てておかれている時、両磁極に働く磁気力Fはその方向が両磁極を結ぶ直線状にあり、その大きさは磁極の大きさm1、m2の積に比例し、距離rの2乗に反比例する。m1、m2が同符号の時Fは反発力、異符号の時は吸引力。

$$F=\frac{m_1m_2}{4\pi \mu_0 r^2} (真空中)$$

磁極の強さm:磁極が帯びている磁気の量[Wb]。真空の透磁率μ0[H/m]

磁界

磁界とは磁極による 静磁力が働く空間。磁場。

磁界内の1点に磁極を置いたとき、その1[Wb]あたりに働く静磁力をその点の磁界の強さという。

磁極mがある点に生じる磁界の大きさHはある点1[Wb]の時に働く力の大きさ。

$$H=\frac{m}{4\pi \mu_0 r^2} [A/m]$$

磁力線

磁気力の様子を視覚的に表現するための仮想的な線。

正の磁極から負の磁極へと向かう線。磁力線の向きは磁界の向きと一緒。磁極のないところで途切れたり二つ以上の線が交わったりすることはない。磁力線の本数はその場所の磁界の強さに比例する。

磁束密度

磁界の強さを表す量。 磁界の中で、磁界に垂直な断面の単位面積当たりに通っている磁束。

$$\bf{B}=\mu_0\bf{H} [T]、[Wb/m^2]$$

磁束

その場における磁界の強さと方向を、1(Wb)を1本とした線の束で表したもの

$$\phi=BS[Wb]$$

S:磁束線に垂直な平面の面積

電流磁界

フレミングの左手の法則

左手の中指、人差し指、親指を互いに直角にしたとき、中指の方向が電流I、人差し指の方向が磁界密度Bの方向とすると、電磁力Fは親指の方向に向かう。

アンペアの右ねじの法則

右ねじをHの方向に回す(時計回り)とき、そのねじの進む方向がIの進む方向になる。

アンペアの周回積分の法則

単位磁極をある点から出発させて閉局面Cに沿って動かし元の点に戻すときに磁界Hがする仕事が電流Iと等しい。磁界を周回積分したものは、その中に流れる電流と等しい。

$$\oint_c \bf{H} d\bf{s} = \bf{I} $$

無限長直線電流

無限長直線状導線に電流Iが流れている場合。アンペアの右ねじの法則にによりHの方向が決まる。アンペアの周回積分法則を適用する

$$H=\frac{I}{2\pi r}$$

円形電流

半径aの円形コイルを流れる電流I、その中心軸上の点の磁界H

$$H=\frac{Ia^2}{2(a^2+x^2)^\frac{3}{2}}$$

ビオ・サバールの法則

ビオ・サバールの法則

電流要素Idsが空間内の任意の点Pにある強さmの磁極に及ぼす力dFとすると、P点の磁界dH=dF/mがI ds sinθに比例し、dsとP間の距離rの二乗に反比例する。

$$dH=\frac{I ds sin\theta}{4\pi r^2}$$

電磁誘導

レンツの法則

回路を通り抜ける磁束が変化するときには、その変化を妨げるような方向に電流を流そうとする起電力が誘導される。

$$誘導起電力e=-\frac{d\Phi}{dt}$$

$$磁束数\Phi=N\phi[Wb]。N:コイルの巻き数。\phi:磁束$$

フレミングの右手の法則

右手の中指、人差し指、親指を互いに直角の方向に向けた時、親指の方向を導体の運動の方向、人差し指を磁束密度とすると、誘導電界にしたがって起電力は中指の方向に向かう。

導線が一様磁界中で平行移動する場合

コの字の導線上の導線が一様磁界で移動

コの字に曲げた導線の上を、一定速度v[m/s]で長さl[m]の導線を移動、移動する導線はコの字の導線の一辺と並行、導線に垂直な一様磁束密度B[T]。

$$e=- v B l[V]$$

長方形コイルが一様磁界中で回転する場合

長方形コイルの回転

一様磁界H[A/m]中に2辺の長さがa[m]、b[m]、巻き数Nの長方形コイルをその鉛直なa辺の中点を通りHに垂直な水平軸周りに角速度ω[rad/s]で回転させる場合。

$$磁束数\Phi=\mu_0 H N a b cos\omega t [Wb]$$

$$e=-\frac{d\Phi}{dt}=\omega\mu_0 H N a b cos\omega t$$

自己インダクタンスL[H]

電流とそれによって作られる磁界の強さは比例するので透磁率が一様の場合磁束数は電流に比例する。その比例定数をLとする。

$$\Phi=LI$$

$$e=-\frac{d\Phi}{dt}=-L \frac{dI}{dt}$$

相互インダクタンスM[H]

二つの回路が対立して一方の電流が変化すると、磁束が変化して、他方に起電力が発生する。この現象を相互誘導という。磁束数と電流は比例するので、Φ=MI

無端ソロノイドの自己インダクタンス・相互インダクタンス

無端ソロノイドの自己・相互インダクタンス

断面積S,平均磁路長l、透磁率μの環状鉄心にそれぞれ巻き数N1、N2のコイルを巻いている。

$$起磁力\mathscr{F}=NI 「A」、磁気抵抗\mathscr{R}=\frac{l}{\mu S}[H^{-1}]、\phi=\frac{\mathscr{F}}{\mathscr{R}}=\frac{\mu NIS}{l}$$

$$N1のコイルに電流I_1を流したときに生じる磁束数\Phi1=N1\phi_1=\frac{\mu N1^2I_1 S}{l}、 \Phi2=N2\phi_1=\frac{\mu N1N2I_1S}{l}、$$ $$L1=\frac{\Phi_1}{I_1}=\frac{\mu N1^2S}{l}、L2=\frac{N2 \phi_2}{I_2}=\frac{\mu N2^2S}{l}、$$ $$M=\frac{\Phi_2}{I_1}=\frac{\mu N1N2S}{l}$$

ヒステリシス曲線

ヒステリシス曲線

B:磁束密度とH:磁界の強さの関係を表す曲線。磁性体に磁界を加えると磁化する。

0点は磁性体が磁化していない状態。磁界を加えると磁性体が磁化して磁束密度が増加する。際限なく増加するわけではなく最大(飽和)磁束密度までしか増えない。

付加する磁界を減らしていくと磁束密度も減っていく。磁界を0にしても磁束密度は0にはならず、磁性体は磁化したままでその時の磁束密度を残留磁気(磁束密度)という。

逆向きの磁界を付加していくとある点で磁束密度が0になる。その時の磁界の強さを保磁力という。

残留磁気が大きく保磁力が小さい磁性体は電磁石に適し、残留磁気と保磁力が大きい磁性体は永久磁石に適している。

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